국내연구진이 해외 유수 학회 전시회에 반도체 소자인 GaN(질화갈륨)  관련 국산화 기술을 공개, 큰 호응을 얻었다.

ETRI(한국전자통신연구원, 원장 김흥남)는 이 기술이 칩 크기를 줄이고 고효율을 자랑해 국방 및 통신용으로 유용하게 사용될 수 있다고 설명했다.

ETRI는 지난 10일까지 이탈리아 로마에서 열린 유럽 최대 규모의 마이크로파 학회인 EuMW 전시회에서 국내외 학계는 물론 RF(고주파) 부품 및 시스템 해외업체로부터 많은 관심을 받아 큰 성과를 얻었다고 밝혔다.

ETRI는 이번 전시회에서 자체 개발한 질화갈륨(GaN) RF 전력증폭기 기술과 GaN 전력반도체 기술 등을 공개했다.

전력증폭기란 미약한 입력신호를 크게 증폭시켜 안테나로 보내 전파를 보내는 역할을 한다. 따라서 고성능 레이더나 이동통신 기지국 및 단말기, 위성통신 등에 핵심적으로 쓰이고 있다.

GaN 전력반도체 또한 전기자동차나 에어컨, 냉장고 등의 일반가전제품, 태양광 기술에 있어 교류나 직류를 전력변환하는 곳에 주로 많이 활용된다.

특히 GaN 전력반도체는 기존 실리콘 등에 비해 전력량이 많아질 경우 여러개의 변환모듈이 필요해 최대 30%까지의 효율을 높일수 있다고 연구진은 설명했다.

특히, 세계적인 항공우주시스템 장비회사인 BAE시스템즈가 ETRI 기술의 우수성을 인정해 투자의향을 밝히기도 했다.

아울러 RF 칩의 인기가 상한가다. 중국의 이동통신업체와 영국의 전력증폭기 제작업체로부터 기술이전 문의가 잇따라 오고 있다고 연구진은 설명했다.

ETRI가 보유한 기술은 현재, 세계 반도체분야 최고기업에서만 보유한 기술로, 국방 및 이동통신 분야의 차세대 반도체 고출력증폭기 핵심기술이다. 본 기술로 고출력 레이더 개발 등에 적용이 가능하다.

ETRI가 개발한 칩은 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 질화갈륨(GaN)을 사용, 전력 밀도를 최대 10배, 증폭소자 교체주기는 16배, 전력 효율은 최대 30% 이상 우수한 게 특징이다.

전시회에는 전 한국전자파학회장 윤상원 교수, 대만 국립중정대학 오건화 교수, 영국 BAE 시스템즈사 와트슨 박사, 이스라엘 엘리스라(elisra)사의 오바디아 메니저 등이 참석했다.

김흥남 원장은 “이번 전시회 참가로 대한민국의 GaN 반도체 기술을 널리 알렸다는데 큰 의미가 있으며, 해외의 RF 부품 및 시스템 업체에 ETRI의 GaN 반도체 기술을 인식시켜 상용화 가능성을 열었다는 데 큰 의미가 있다”라고 말했다.