KIST, 2차원 소재 '반데르발스 자성체'만의 자성 특징 밝혀내

최준우 KIST 박사팀이 개발한 반데르발스 자성체를 활용한 스핀소자의 모습. [사진=KIST 제공]
최준우 KIST 박사팀이 개발한 반데르발스 자성체를 활용한 스핀소자의 모습. [사진=KIST 제공]
전 세계 반도체 기업·연구소가 상용화되고 있는 실리콘 반도체 효율 향상에 한계를 느끼고 이를 뛰어넘을 수 있는 스핀 메모리에 주목하고 있다. 그 가운데 국내 연구진이 스핀 메모리 소재 후보로 주목받고 있는 반데르발스 자성체의 정보저장 안정성이 다른 소재보다 10배 이상 높다는 연구 결과를 도출해냈다.  

KIST(한국과학기술연구원·원장 윤석진)는 최준우 스핀융합연구단 박사팀이 반데르발스 자성체가 정보를 저장할 수 있는 안정성을 나타내는 '교환 바이어스' 특성이 일반 자성체보다 10배 이상 크고, 근본적으로 다른 물성을 가짐을 규명했다고 4일 밝혔다.

반데르발스(van der Waals) 자성체란 물질의 층과 층 사이 결합력이 약한 '반데르발스' 결합으로 이루어진 자성체로, 층간 결합력이 약해 단일 원자층으로 쉽게 분리, 평면 형태로도 만들 수 있어 2차원 물질이라고도 불린다. 

2017년엔 반데르발스 물질 중 강자성(외부 자성을 유지하려는 특성)을 나타내는 물질들이 새롭게 발견돼 이를 활용한 차세대 스핀 반도체 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 반데르발스 자성체들은 철, 코발트 등의 기존 자성체와 달리 원자층 단위로 분리된다는 구조적 특성 외에 눈에 띄게 다른 자성 특성을 발견하지는 못했었다.

연구진은 대표적 반데르발스 자성체인 'Fe3GeTe2' 특성을 분석한 결과 두께가 두꺼워 짐에 따라 교환 바이어스의 크기가 약해지는 기존 자성체들과는 달리, 두께에 영향을 거의 받지 않으며 그 교환 바이어스 크기(정보저장 안정성)가 10배 이상 클 수 있음을 찾아냈다. 또 이러한 자성 특성이 반데르발스 물질이 갖는 내재적 성질인 약한 층간 상호작용 때문인 것을 밝혔다. 

교환 바이어스는 2018년부터 양산되고 있는 차세대 스핀 메모리의 핵심 동작 원리로, 스핀 정보의 안정적인 저장에 결정적 역할을 한다. 이번 연구 결과는 큰 교환 바이어스를 갖는 반데르발스 자성체를 활용해 차세대 스핀 메모리의 정보 저장 안정성을 향상시킬 수 있음을 시사한다.

최준우 박사는 "이번 연구 결과를 토대로 향후 반데르발스 자성체와 다른 성질의 반데르발스 물질들의 접합구조를 활용해 우수한 성능을 가진 스핀 반도체 신소재 개발이 가능해질 것으로 기대된다"고 말했다. 

과학기술정보통신부 지원으로 KIST 주요사업과 창의형융합연구사업, 선도연구센터지원사업 지원으로 수행된 이번 연구는 나노과학 분야 국제 저널 'Nano Letters' (IF: 12.279, JCR 분야 상위 5.743%) 최신 호에 게재됐다.

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