P램의 출원량이 많았고 STT-M램과 Re램의 출원증가세도 두드러졌다. 출원인별 통계를 살펴보면 P램, STT-M램, Re램을 모두 합친 특허출원 건수에서 국내 출원인 76%, 국외 출원인 24%로서 국내 출원인의 비율이 훨씬 높았다. 구체적으로는 P램은 한국 772건(93%), 미국 32건(4%), 일본 16건(2%), Re램은 한국 234(77%), 일본 32건(11%), 미국 24건(8%) 순으로 한국의 특허출원 건수가 압도적으로 많았다. STT-M램에서 한국 183건(43%), 일본 147건(35%), 미국 78건(18%) 순으로 나타났다.

국내 출원인으로는 삼성전자와 하이닉스, 국외 출원인으로는 일본의 도시바, 소니, 히다치, 후지쯔, 미국의 퀄콤, 마이크론, 그란디스 등이 다출원인이다. 주목할 점은 외국 반도체 업체들에 비해 삼성전자와 하이닉스는 P램, STT-M램, Re램 모든 분야에서 고루 출원하고 있다. 삼성전자는 2009년 60나노급 공정을 적용한 P램 양산을 개시했고, 휴대전화에 채용되는 노어플래시 대체용으로 기대된다. STT-M램과 Re램은 높은 집적도 구현이 가능하고 빠른 동작 속도로 인하여 D램과 낸드플래시를 대체할 것으로 예상된다.

특허청 관계자는 "반도체는 올 상반기 품목별 수출액 2위를 기록한 수출효자 품목으로 우리 경제에도 많은 영향을 미친다"면서 "차세대 메모리반도체에 대한 활발한 특허출원은 미래를 대비한 노력으로 보인다"고 분석했다. P램은 물질의 상(相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식 메모리이고, STT-M램은 자성체의 자기(磁氣) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리이며, Re램은 물질의 저항 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리를 말한다.