이번 기술개발은 과학기술부 특정연구개발사업인 '진공기술 기반구축사업'의 하나로 지난 99년부터 표준과학연구원이 추진해 왔다. 이 기술은 진공 중의 입자가 높은 에너지의 레이저 광과 충돌해 가열되면 곧 복사선을 내게 되는데 이 복사선의 세기로부터 오염입자의 농도를, 복사선 상승 및 소멸시간으로부터 입자의 크기를 각각 측정하는 것이다.

따라서 이 기술은 반도체 제조 공정의 플라즈마 화학증착 공정이나 식각(蝕刻)공정에서 오염입자 크기를 정량적으로 측정할 수 있게 해 공정 개선은 물론 차세대 반도체 공정 및 나노 소자 제작공정 등에도 사용될 수 있다. 연구팀은 내년까지 1단계 사업을 마치고 2004년부터 미래 유망 신기술 개발에 대비한 극청정 진공기술 평가장비 구축에 나설 예정이다.

현재 소자의 선폭이 100nm 정도로 좁아지고 있는 메모리 반도체 소자 공정에서는 공정 중 발생하는 나노 입자에 의한 오염 문제로 생산성이 떨어지고 수율이 나빠져 나노 크기 오염입자의 공정계측 및 제어가 중요한 이슈로 부각되고 있는 상황이다.

정 박사는 "진공 공정 중의 오염 문제는 앞으로 나노 소자 제작공정에서 더욱 심각한 문제로 대두될 것"이라며 "이번에 개발한 기술은 나노 소자 개발의 핵심기술로 사용될 것"이라고 내다봤다.

한편 표준연 진공기술센터는 연간 약 300건의 외부평가 이용자의 수요를 충족하고 있으며 진공기술교육, 산학연교류회, 기술상담 및 자문, 산학연 컨소시엄을 통한 기술이전 및 기술데이터를 제공하고 있다.

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